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2020年浙江省自旋电子材料、器件与系统重点实验室开放基金课题申报指南
时间:2020-09-18阅读量:3645

      为促进浙江省自旋电子技术领域基础和应用基础研究,加强实验室对外开放与交流,本着“开放、流动、联合、竞争”的原则,浙江省自旋电子材料、器件与系统重点实验室,在深入研讨和广泛征求专家意见的基础上,发布2020年开放基金课题申报指南,诚挚邀请国内外相关领域的研究人员踊跃申请。

一、2020年度资助课题

      本次开放基金设立两个研究课题,课题实施周期1-2年,每个课题研究经费10-20万元。

      课题1:新型自旋轨道力矩新材料与存储器件应用研究

      研究内容:围绕新型自旋轨道力矩新材料及存储器件应用技术开展研究,满足我国下一代SOT-MRAM发展的新材料及器件应用需求,建立SOT翻转模型、开展大自旋霍尔角材料、结构、无外场自旋霍尔翻转等研究。

    考核指标:

  (1)研究及开发2-3种基于SOT效应具有更大自旋霍尔角的非磁性金属缓冲层薄膜,力争将自旋霍尔角θSH提高到0.4;

  (2)提出1-2种基于SOT效应的新一代MRAM可行性架构模型;

  (3)申请专利不少于3项,发表共同署名SCI论文不少于3篇。

      课题2  MTJ制备与原位磁性能测试

      研究内容:

      探索器件层面(MTJ CD≤80 nm)的磁性能原位测试方法。主要包含以下关键问题:

  (1)探究薄膜层面的MTJ自由层磁翻转与器件层面MTJ自由层磁翻转的不同机制;

  (2)研究器件层面不同尺寸下的自由层磁翻转机制;

  (3)量化不同尺寸器件的磁性能,如矫顽力、各向异性场、阻尼因子等;

  (4)研究不同应力对MTJ磁性能的影响机制。

    考核指标: 

  (1)探索薄膜层面和器件层面(CD≤80 nmMTJ自由层翻转的不同机制,并将两者建立对应的联系,以实现通过薄膜层面的磁性能测试推测器件端的磁性能;

  (2)研究不同尺寸下器件自由层的翻转机制,找出MTJ单畴翻转的临界尺寸;

  (3)建立原位测量平台,量化器件层面的磁学性能,得出不同应力对MTJ磁性能影响规律,探究应力的作用机制;

  (4)发表共同署名SCI论文不少于3篇。


      二、申报要求

      1. 申请人需具有博士学位或高级职称。鼓励高等学校中青年研究人员申报。

      2. 申请者须按规定格式认真撰写申请书,保证所有提交申报材料的真实性,并于规定的截止时间之前向本实验室提交签字盖章后的《浙江省自旋电子材料、器件与系统重点实验室开放基金课题申请书》(模板请见附件)电子文档(含签章页面的扫描件)和纸质原件一份。

      3. 本次申报截止时间为2020930日。


      三、申报材料报送地址及联系人

      联系人:  

      电  话: 15990050893

        E-mail:xingyun@hikstor.com

      邮寄地址:浙江省杭州市临安区青山湖街道励新路9 

      邮编:311305

             

附件 

附件 开放基金课题申请书-浙江省自旋电子材料、器件与系统重点实验室(1).docx


 

 

 

 浙江省自旋电子材料、器件与系统重点实验室


                                2020918     


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